Intel 18A-P يدخل الإنتاج التجريبي مع بقاء إثبات المسبك معلقا

Intel تنقل 18A-P إلى الإنتاج التجريبي

استخدمت Intel Foundry ندوة VLSI لعام 2026 لوضع علامة زمنية على Intel 18A-P، قائلة إن النسخة المحسنة الأداء من Intel 18A دخلت الإنتاج التجريبي. يمنح التحديث العملاء والشركاء محطة على خريطة العملية، لا نتيجة تصنيع كمي مكتملة.

وصفت الشركة Intel 18A-P بأنه امتداد متوافق في قواعد التصميم مع Intel 18A. يساعد ذلك مصممي الرقائق لأن الملكية الفكرية وتدفقات التصميم القائمة يمكن إعادة استخدامها بسهولة أكبر مما يحدث في انتقال أكثر اضطرابا إلى عقدة جديدة. وقالت Intel إن العملية تحتفظ بارتفاعي خلية يبلغ كل منهما 180 نانومترا و160 نانومترا وبمسافة contacted poly pitch قدرها 50 نانومترا.

المكاسب التي تعلنها Intel مهمة لكنها ما زالت تحتاج إلى دليل من شرائح العملاء. تصف Intel 18A-P بأنه يقدم أداء أعلى بنسبة 9% عند الطاقة نفسها، أو طاقة أقل بنسبة 18% عند الأداء نفسه مقارنة بـ Intel 18A. كما ذكرت Intel تحسنا في المقاومة الحرارية بنسبة 20-40% وتحسنا في مقاومة الوصلات الرأسية بنسبة 10-30% عبر تغييرات في المواد والهندسة والتصميم.

Power Boost يستهدف التردد والكفاءة

تضمن التحديث Power Boost، وهو خيار ترانزستور مزدوج التلامس ومنخفض المقاومة لـ Intel 18A-P. وقالت Intel إن الخيار يهدف إلى زيادة تيار القيادة ورفع التردد عند السعة المطابقة.

أشارت Intel أيضا إلى خيارات ترانزستور جديدة منخفضة الطاقة وعالية الأداء، وإلى زوج منطقي خامس من Vt بين ULVT وLVT. تمنح هذه الإضافات المصممين خيارات أوسع عند الموازنة بين السرعة والطاقة، لكن Intel لم تكشف أسماء عملاء أو منتجات شرائح أو جداول tape-out مرتبطة بالخيارات الجديدة.

ترتكز حجة المسبك على تقنيتين تقول Intel إنها طرحتهما في السوق العام الماضي مع Intel 18A: ترانزستورات gate-all-around وتوصيل الطاقة من الخلف. في VLSI، عرضت Intel قياسات لهذه الأسس، بما في ذلك خفض المساحة الموجهة بنسبة 11% وخفض هبوط الجهد الديناميكي بمقدار 10X مقارنة بتقنية frontside interconnect مماثلة. وقالت Intel إن هذه النتائج يمكن أن تتيح رفع التردد بنسبة تصل إلى 6% أو خفض الطاقة الديناميكية بأكثر من 15%.

أبحاث التوسع تشير إلى ما بعد 18A

استخدمت Intel الحدث أيضا لوصف أبحاث أطول مدى. عرضت الشركة عواكس CFET أحادية التكامل مع أجهزة NMOS وPMOS مكدسة رأسيا عند gate pitch يبلغ 45 نانومترا، وهو مسار محتمل لتوسيع المنطق إلى ما بعد ترانزستورات gate-all-around.

غطى بند بحثي منفصل التكامل الأحادي على 300mm لأجهزة طاقة من gallium nitride مع منطق السيليكون، بما في ذلك كتلة تحكم رقمية تضم نحو 1,000 بوابة. قدمت Intel هذا العمل بوصفه طريقة للجمع بين التحكم الرقمي وأجهزة الطاقة عالية الأداء في عملية واحدة وتقليل تعقيد النظام.

تبقى الوصلات الداخلية قيدا آخر. قالت Intel إن ruthenium المطروح مع تكامل airgap حقق خفضا في السعة يصل إلى نحو 35% ومكاسب تردد قابلة للقياس مقارنة بالنحاس، ما يشير إلى مسار لتحسين مقاومة وسعة التوصيلات مع استمرار انكماشها.

قدمت Intel لعملاء المسبك مجموعة أكثف من ادعاءات العملية حول Intel 18A-P. أما الإثبات المفقود فهو تجاري: لم تسم Intel شرائح عملاء أو تصاميم شرائح إنتاجية أو موعد تصنيع كمي يتجاوز محطة الإنتاج التجريبي.