سامسونغ ترسل عينات من HBM4E ذات 12 طبقة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي القادمة

أرسلت سامسونغ عينات من ذاكرة HBM4E ذات 12 طبقة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي، مع مواصفات تشمل حتى 16 غيغابت في الثانية لكل طرف ونطاقاً ترددياً يبلغ 3.6 تيرابايت في الثانية للحزمة الواحدة وسعة 48 غيغابايت. وتقول الشركة إن تحسينات الكفاءة والحرارة تستهدف أعباء مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي.

يوضح هذا الخبر الأثر العملي المباشر على التكاليف أو البنية التحتية أو المخاطر القانونية في القطاع المعني. النقطة الأهم للقارئ هي ما إذا كان الحدث سيغير الأسعار أو الامتثال أو قرارات الاستثمار خلال الفترة المقبلة.

سامسونغ تدخل سباق ذاكرة HBM4E للذكاء الاصطناعي

بدأت سامسونغ إلكترونيكس إرسال عينات مما تصفه بأنه أول ذاكرة HBM4E مكوّنة من 12 طبقة في العالم إلى عملاء عالميين، في خطوة تهدف إلى تعزيز موقعها في سوق الذاكرة عالية النطاق الترددي المخصصة لمسرّعات الذكاء الاصطناعي المتقدمة.

وقالت الشركة الكورية إن المنتج الجديد مصمم للجيل التالي من أنظمة الذكاء الاصطناعي، حيث تتطلب أعباء تدريب النماذج وتشغيل الاستدلال نطاقاً ترددياً أعلى للذاكرة، وسعة أكبر داخل الحزمة، وكفاءة أفضل في استهلاك الطاقة. وتأتي شحنات العينات بعد تقدم سامسونغ السابق في الإنتاج الكمي لذاكرة HBM4، ما يشير إلى محاولة الشركة التحرك سريعاً نحو مستوى أداء أعلى.

أهداف الأداء والسعة

وفقاً للتقرير الأصلي، تدعم ذاكرة HBM4E ذات 12 طبقة من سامسونغ تشغيلاً مستقراً بسرعة 14 غيغابت في الثانية لكل طرف، ويمكن أن تصل إلى 16 غيغابت في الثانية. وتشير الشركة أيضاً إلى نطاق ترددي يبلغ 3.6 تيرابايت في الثانية للحزمة الواحدة، وهي مواصفة تستهدف دعم نماذج اللغة الكبيرة وأنظمة حوسبة الذكاء الاصطناعي ذات الإنتاجية العالية.

يوفر المنتج سعة 48 غيغابايت في تكوين 12 طبقة، وهي أعلى من الجيل السابق المذكور في التقرير. وتخطط سامسونغ أيضاً لتوسيع التشكيلة لتناسب بيئات العملاء المختلفة، بما في ذلك إصدارات بسعة 32 غيغابايت من 8 طبقات و64 غيغابايت من 16 طبقة.

بالنسبة لمشغلي بنية الذكاء الاصطناعي، لا تكمن الأهمية العملية في السرعة القصوى فقط. فالذاكرة الأعلى كثافة والأسرع يمكن أن تخفف الاختناقات حول المسرّعات، خصوصاً مع زيادة ضغط النماذج المتقدمة وخدمات الاستدلال على حركة البيانات بين الحوسبة والذاكرة.

التصنيع والتغليف والكفاءة

تجمع ذاكرة HBM4E من سامسونغ بين ذاكرة DRAM بتقنية 1c، وهي عملية من فئة 10 نانومتر في جيلها السادس، وبين قالب منطقي بدقة 4 نانومتر من أعمال المسابك التابعة للشركة. ويعرض التقرير ذلك كجزء من ميزة سامسونغ الأوسع في الحلول المتكاملة التي تشمل الذاكرة والمسابك ودوائر System LSI والتغليف المتقدم.

وتقول الشركة أيضاً إن كفاءة الطاقة تحسنت بنسبة 16%، وإن مقاومة الحرارة تحسنت بأكثر من 14% مقارنة بذاكرة HBM4. وتكتسب هذه التحسينات في الكفاءة وإدارة الحرارة أهمية لأن مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي أصبحت مقيدة باستهلاك الطاقة والتبريد بقدر ما هي مقيدة بتوفر الرقائق.

ما التالي

تخطط سامسونغ للانتقال من العينات إلى الإمداد الكمي وفق جداول العملاء. وقال هوانغ سانغ جون، نائب الرئيس في أعمال الذاكرة لدى سامسونغ، إن إرسال عينات HBM4E يعزز ريادة الشركة التقنية بعد تقدمها في إنتاج HBM4، وإن سامسونغ ستواصل الاستثمار في بنية الإنتاج لسوق ذاكرة الذكاء الاصطناعي.

كما يزيد الإعلان الضغط التنافسي في سوق HBM، حيث تتسابق شركات الذاكرة للحصول على اعتماد من صانعي مسرّعات الذكاء الاصطناعي وعملاء الحوسبة السحابية الضخمين. وإذا استطاعت سامسونغ تحويل العينات الجديدة إلى شحنات معتمدة بكميات كبيرة، فقد تصبح HBM4E جزءاً مهماً من جهودها لاستعادة الزخم في ذاكرة الذكاء الاصطناعي المتقدمة.